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Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Confronto
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
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Motivi da considerare
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
38
Intorno -36% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.2
7.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.2
3.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
38
28
Velocità di lettura, GB/s
7.2
18.2
Velocità di scrittura, GB/s
3.0
14.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
915
3300
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
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