RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Confronto
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
38
Intorno -52% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.3
7.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.7
3.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
38
25
Velocità di lettura, GB/s
7.2
14.3
Velocità di scrittura, GB/s
3.0
11.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
915
2945
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link