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Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Confronto
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
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Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
38
Intorno -23% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.1
7.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.4
3.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
38
31
Velocità di lettura, GB/s
7.2
20.1
Velocità di scrittura, GB/s
3.0
16.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
915
3823
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Kingston KHX16 4GB
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Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
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