RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Confronto
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Punteggio complessivo
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
38
Intorno -15% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.3
7.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.1
3.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
12800
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
38
33
Velocità di lettura, GB/s
7.2
15.3
Velocità di scrittura, GB/s
3.0
12.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
25600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
915
2900
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link