RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Confronto
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
38
Intorno -58% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.4
7.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.2
3.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
38
24
Velocità di lettura, GB/s
7.2
15.4
Velocità di scrittura, GB/s
3.0
8.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
915
2438
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link