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Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Samsung M471B5273CH0-CK0 4GB
Confronto
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs Samsung M471B5273CH0-CK0 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273CH0-CK0 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
38
40
Intorno 5% latenza inferiore
Motivi da considerare
Samsung M471B5273CH0-CK0 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
11.5
7.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.1
3.0
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Samsung M471B5273CH0-CK0 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
38
40
Velocità di lettura, GB/s
7.2
11.5
Velocità di scrittura, GB/s
3.0
7.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
12800
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
915
1730
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
Samsung M471B5273CH0-CK0 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
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