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Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
AMD R538G1601S2LS 8GB
Confronto
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB vs AMD R538G1601S2LS 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Punteggio complessivo
AMD R538G1601S2LS 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
31
Intorno -11% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
11.3
9.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.2
6.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
12800
10600
Intorno 1.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
AMD R538G1601S2LS 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
31
28
Velocità di lettura, GB/s
9.8
11.3
Velocità di scrittura, GB/s
6.7
8.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
12800
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1304
1793
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
AMD R538G1601S2LS 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston HP691160-H63-KEB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
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