RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Confronto
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB vs Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
50
Intorno 38% latenza inferiore
Motivi da considerare
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.3
9.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.9
6.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
10600
Intorno 2.42 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
31
50
Velocità di lettura, GB/s
9.8
15.3
Velocità di scrittura, GB/s
6.7
10.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
25600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1304
2512
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link