Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB

Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB vs Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB

Punteggio complessivo
star star star star star
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB

Punteggio complessivo
star star star star star
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB

Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    20 left arrow 43
    Intorno -115% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    19.2 left arrow 11
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    14.8 left arrow 7.2
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    17000 left arrow 10600
    Intorno 1.6 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    43 left arrow 20
  • Velocità di lettura, GB/s
    11.0 left arrow 19.2
  • Velocità di scrittura, GB/s
    7.2 left arrow 14.8
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • Descrizione
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    1393 left arrow 3326
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Ultimi confronti