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Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
比较
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB vs Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
总分
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
总分
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
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需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
20
43
左右 -115% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.2
11
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.8
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
20
读取速度,GB/s
11.0
19.2
写入速度,GB/s
7.2
14.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1393
3326
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
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Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
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