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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
AMD R948G3206U2S 8GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs AMD R948G3206U2S 8GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
AMD R948G3206U2S 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
36
左右 8% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
25600
19200
左右 1.33% 更高的带宽
需要考虑的原因
AMD R948G3206U2S 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.5
17.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.9
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
AMD R948G3206U2S 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
36
读取速度,GB/s
17.6
18.5
写入速度,GB/s
12.0
12.9
内存带宽,mbps
25600
19200
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
3320
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
AMD R948G3206U2S 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G13332S 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
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