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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
AMD R948G3206U2S 8GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs AMD R948G3206U2S 8GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
AMD R948G3206U2S 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
36
左右 8% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
25600
19200
左右 1.33% 更高的带宽
需要考虑的原因
AMD R948G3206U2S 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.5
17.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.9
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
AMD R948G3206U2S 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
36
读取速度,GB/s
17.6
18.5
写入速度,GB/s
12.0
12.9
内存带宽,mbps
25600
19200
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
3320
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
AMD R948G3206U2S 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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AMD AE34G2139U2 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
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Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
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