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Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
比较
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB vs Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
43
48
左右 10% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
11
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.2
5.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
43
48
读取速度,GB/s
11.0
8.9
写入速度,GB/s
7.2
5.9
内存带宽,mbps
10600
10600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
排名PassMark (越多越好)
1393
1420
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB RAM的比较
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
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Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
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