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Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Confronto
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Differenze
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Motivi da considerare
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
43
Intorno -59% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.4
11
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.3
7.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
27
Velocità di lettura, GB/s
11.0
19.4
Velocità di scrittura, GB/s
7.2
16.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1393
3827
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
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