Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB

Punteggio complessivo
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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Punteggio complessivo
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Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    35 left arrow 52
    Intorno 33% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    14.4 left arrow 10.2
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    9.5 left arrow 8.2
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    17500 left arrow 10600
    Intorno 1.65 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    35 left arrow 52
  • Velocità di lettura, GB/s
    14.4 left arrow 10.2
  • Velocità di scrittura, GB/s
    9.5 left arrow 8.2
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    10600 left arrow 17500
Other
  • Descrizione
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17500, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow no data
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2321 left arrow 2319
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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