RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Compara
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Puntuación global
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Puntuación global
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
52
En 33% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.4
10.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.5
8.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17500
10600
En 1.65 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
52
Velocidad de lectura, GB/s
14.4
10.2
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
8.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17500
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17500, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
no data
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2321
2319
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link