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Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Confronto
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB vs SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
43
49
Intorno 12% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
11
8.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.2
5.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
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Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
43
49
Velocità di lettura, GB/s
11.0
8.2
Velocità di scrittura, GB/s
7.2
5.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
10600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1393
1223
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
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Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
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Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
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