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Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
比较
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB vs SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
总分
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
总分
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
43
49
左右 12% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
11
8.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.2
5.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
43
49
读取速度,GB/s
11.0
8.2
写入速度,GB/s
7.2
5.2
内存带宽,mbps
10600
10600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
排名PassMark (越多越好)
1393
1223
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
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