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Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
比较
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB vs Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
总分
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
总分
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
39
左右 3% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.5
14.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.5
9.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
39
读取速度,GB/s
14.7
15.5
写入速度,GB/s
9.1
11.5
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2496
2264
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB RAM的比较
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
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