Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB против Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB

-->

Средняя оценка

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

Средняя оценка

Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB

Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

Причины выбрать
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

38 39

Около 3% меньшая задержка

Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB

Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

15.5 14.7

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

11.5 9.1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 10600

Около 2.01 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

38 39
Скорость чтения, Гб/сек

14.7 15.5
Скорость записи, Гб/сек

9.1 11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 21300

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2496 2264

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB

Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB

модули RAM

Strontium EVMT8G1600U86S 8GB

Strontium EVMT8G1600U86S 8GB

Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB

Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB

модули RAM

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB

Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB

Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB

Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB

модули RAM

Kingston 9905469-143.A00LF 4GB

Kingston 9905469-143.A00LF 4GB

Avexir Technologies Corporation T 4GB

Avexir Technologies Corporation T 4GB

модули RAM

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB

Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB

модули RAM

Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB

Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB

AMD R744G2400U1S 4GB

AMD R744G2400U1S 4GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Kingston 9905713-017.A00G 4GB

Kingston 9905713-017.A00G 4GB

модули RAM

Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB

Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB

Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB

Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB

модули RAM

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB

модули RAM

Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB

Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB

Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB

Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB

Corsair CMR16GX4M2C 8GB

Corsair CMR16GX4M2C 8GB

модули RAM

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB

модули RAM