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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
比较
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
总分
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
总分
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
41
左右 34% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.3
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.5
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
41
读取速度,GB/s
11.8
16.3
写入速度,GB/s
7.3
13.5
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2057
3146
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
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