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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,622.0
12.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
77
左右 -133% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
25600
5300
左右 4.83 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
33
读取速度,GB/s
3,405.2
17.6
写入速度,GB/s
2,622.0
12.0
内存带宽,mbps
5300
25600
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
2910
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905428-196.A00LF 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
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