RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Confronto
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Punteggio complessivo
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Punteggio complessivo
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.2
13.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.6
6.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
19200
Intorno 1.11% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
46
Intorno -64% latenza inferiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
28
Velocità di lettura, GB/s
14.2
13.7
Velocità di scrittura, GB/s
13.6
6.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
21300
19200
Other
Descrizione
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2717
2128
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Kingmax Semiconductor FLGG45F-E8K3B 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link