RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Confronto
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Punteggio complessivo
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
17000
Intorno 1.25% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
46
Intorno -77% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.3
14.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.3
13.6
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
26
Velocità di lettura, GB/s
14.2
19.3
Velocità di scrittura, GB/s
13.6
16.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
21300
17000
Other
Descrizione
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2717
3723
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Corsair CMP4GX3M2B1600C8 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingston 99U5471-026.A00LF 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link