RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Confronto
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
73
Intorno 62% latenza inferiore
Motivi da considerare
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.1
12.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.1
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
8500
Intorno 2.26 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
73
Velocità di lettura, GB/s
12.7
15.1
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
8.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
19200
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1988
1744
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Kingston 9905428-123.A00LF 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link