RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Confronto
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Punteggio complessivo
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.6
11.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
19200
Intorno 1.11% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
46
Intorno -35% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.6
14.2
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
34
Velocità di lettura, GB/s
14.2
15.6
Velocità di scrittura, GB/s
13.6
11.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
21300
19200
Other
Descrizione
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2717
2468
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Segnala un bug
×
Bug description
Source link