RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Porównaj
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
11.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
46
Wokół strony -35% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
14.2
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
34
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
13.6
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
19200
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2717
2468
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link