RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Confronto
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Punteggio complessivo
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Punteggio complessivo
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.6
12.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
17000
Intorno 1.25% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
46
Intorno -35% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.9
14.2
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
34
Velocità di lettura, GB/s
14.2
15.9
Velocità di scrittura, GB/s
13.6
12.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
21300
17000
Other
Descrizione
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2717
2910
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Kingston KX830D-HYC 4GB
Kingston HP536726-H41-ELCUW 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link