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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
比较
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
总分
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
总分
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
13.6
12.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25% 更高的带宽
需要考虑的原因
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
46
左右 -35% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.9
14.2
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
34
读取速度,GB/s
14.2
15.9
写入速度,GB/s
13.6
12.2
内存带宽,mbps
21300
17000
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2717
2910
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
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Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
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SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
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