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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Confronto
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Punteggio complessivo
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
46
79
Intorno 42% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.6
7.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
19200
Intorno 1.11% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.7
14.2
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
79
Velocità di lettura, GB/s
14.2
14.7
Velocità di scrittura, GB/s
13.6
7.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
21300
19200
Other
Descrizione
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2717
1710
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
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