RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Confronto
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Punteggio complessivo
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.6
9.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
38
46
Intorno -21% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
21300
Intorno 1.2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
38
Velocità di lettura, GB/s
14.2
14.2
Velocità di scrittura, GB/s
13.6
9.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
21300
25600
Other
Descrizione
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2717
2451
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link