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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Confronto
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Punteggio complessivo
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
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Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
18
77
Intorno -328% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.7
2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.4
1,884.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
18
Velocità di lettura, GB/s
2,936.9
20.7
Velocità di scrittura, GB/s
1,884.0
16.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
564
3722
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
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