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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Confronto
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
18.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
77
Intorno -175% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.4
1,884.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
28
Velocità di lettura, GB/s
2,936.9
18.6
Velocità di scrittura, GB/s
1,884.0
15.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
564
3519
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
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Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
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