RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Confronto
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Punteggio complessivo
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Punteggio complessivo
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
18
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
77
Intorno -235% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.4
1,884.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
23
Velocità di lettura, GB/s
2,936.9
18.0
Velocità di scrittura, GB/s
1,884.0
13.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
564
2675
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link