RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Confronto
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Punteggio complessivo
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
15.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
77
Intorno -141% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.9
1,884.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
32
Velocità di lettura, GB/s
2,936.9
15.2
Velocità di scrittura, GB/s
1,884.0
8.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
564
2430
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link