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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Confronto
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
15.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
77
Intorno -126% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.7
1,884.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
34
Velocità di lettura, GB/s
2,936.9
15.4
Velocità di scrittura, GB/s
1,884.0
10.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
564
2739
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Kingston FQ453-80003 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Micron Technology 4JTF12864AZ-1G4D1 1GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
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