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SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Confronto
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
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Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
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Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
37
Intorno -68% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.5
14.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.2
10.6
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
37
22
Velocità di lettura, GB/s
14.7
18.5
Velocità di scrittura, GB/s
10.6
14.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
17000
17000
Other
Descrizione
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2438
3392
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
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