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SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Compara
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Puntuación global
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
37
En -68% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.5
14.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.2
10.6
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
22
Velocidad de lectura, GB/s
14.7
18.5
Velocidad de escritura, GB/s
10.6
14.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
17000
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2438
3392
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
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