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SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Confronto
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
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Motivi da considerare
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
37
Intorno -32% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
14.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.3
10.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
17000
Intorno 1.13 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
37
28
Velocità di lettura, GB/s
14.7
16.0
Velocità di scrittura, GB/s
10.6
11.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
17000
19200
Other
Descrizione
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2438
2436
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
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Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
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