RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Porównaj
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
37
Wokół strony -32% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
14.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.3
10.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
28
Prędkość odczytu, GB/s
14.7
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
10.6
11.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
19200
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2438
2436
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4D3200C16 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link