RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Porównaj
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Wynik ogólny
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
43
Wokół strony -95% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.6
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
22
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2506
2748
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link