RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Porównaj
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
99
Wokół strony 73% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
6.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
99
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
6.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
21300
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2756
1386
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-PB 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link