RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
12.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
9.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
51
Wokół strony -82% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
28
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
12.2
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
9.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2382
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link