Confronto tra le RAM SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Punteggio complessivo

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

37 38

Intorno 3% latenza inferiore

Motivi da considerare
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Velocità di lettura più elevata, GB/s

15.5 14.7

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

12.0 10.6

Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

25600 17000

Intorno 1.51 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock

14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

2438 2283

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns