RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Porównaj
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
38
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
14.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
10.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
38
Prędkość odczytu, GB/s
14.7
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
10.6
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
25600
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2438
2283
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link