RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Porównaj
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Wynik ogólny
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
6
10.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
45
Wokół strony -45% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
5.3
2,935.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
31
Prędkość odczytu, GB/s
6,336.8
10.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,935.8
5.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1144
1740
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link