RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
46
Wokół strony -64% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.7
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.8
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
28
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
20.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
17.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
4033
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link