RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
43
Wokół strony -79% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.6
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.4
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
24
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
21.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
19.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1706
4250
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link