RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
51
Wokół strony -104% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.4
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
25
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
3519
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link