RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB vs Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
47
Wokół strony 40% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.8
10
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.2
7.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
47
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
10.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
7.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1854
2308
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link