RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Confronto
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB vs Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
35
Intorno 3% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.9
11.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Segnala un bug
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
34
35
Velocità di lettura, GB/s
15.7
15.7
Velocità di scrittura, GB/s
11.9
11.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
21300
21300
Other
Descrizione
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2803
2767
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link